Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Периодический пробой газового слоя в структуре металл--газовый диэлектрик--изолирующий полупроводник--металл, при стационарном освещении структуры
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Институт физико-технических проблем, Дубна, Россия
2Институт физико-технических проблем, Дубна, Россия
Поступила в редакцию: 6 августа 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.
Проведено изучение размеров и расположения области газового пробоя на поверхности М(ГД)ПМ-структуры на кристалле силиката висмута при ее однородном освещении, а также определение величины поглощенной энергии излучения в кристалле, обусловливающей пробой газового слоя.
- Кашерининов П.Г., Лодыгин А.Н. // Письма в ЖТФ. 1997. T. 23. B. 4. С. 23
- Кашерининов П.Г., Лодыгин А.Н. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. В. 22. С. 64
- Богородицкий Н.П., Пасынков В.В. Материалы в радиоэлектронике. М.: Госэнергоиздат, 1961. 352 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
