"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Гетеропереходы p-GaSe--n-рекристаллизованный InSe
Катеринчук В.Н.1, Ковалюк З.Д.1, Каминский В.М.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 16 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.

Исследованы фотоэлектрические свойства гетеропереходов (ГП), изготовленных путем рекристаллизации InSe на подложке GaSe. В спектрах фотоответа ГП наблюдается существенное сужение полосы в сравнении с фотоответом ГП p-GaSe--n-InSe, полученным без рекристаллизации InSe, которое вызвано образованием твердого раствора In0.8Ga0.2Se. Из анализа температурных зависимостей вольт-амперных характеристик (ВАХ), полученных ГП, следует, что механизм протекания тока через потенциальный барьер носит туннельно-рекомбинационный характер.
  1. Williams R.H., McEvoy A.J. // J. Vac. Sci. Techn. 1972. V. 2. P. 867
  2. Williams R.H., McEvoy A.J. // Phys. St. Sol. (a). 1972. V. 12. P. 277
  3. Ананьина Д.Б., Бакуменко В.Л., Курбатов Л.Н., Чишко В.Ф. // ФТП. 1976. Т. 10. С. 2373
  4. Lang O., Klein A. // J. Cryst. Growth. 1995. V. 146. P. 439
  5. Алексеев И.В. // ФТП. 1998. Т. 32. С. 588
  6. Бакуменко В.Л., Чишко В.Ф. // ФТП. 1977. Т. 11. С. 2000
  7. Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relation-ships in Science and Technology. New Ser. Group III: Crystal and Solid State Physics. V. 17. sv. f / Ed. by O. Madelung. Berlin e. a.: Springer, 1983. 562 p
  8. Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник. М.: Мир, 1975. Гл. 2. С. 65

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.