Исследованы фотоэлектрические свойства гетеропереходов (ГП), изготовленных путем рекристаллизации InSe на подложке GaSe. В спектрах фотоответа ГП наблюдается существенное сужение полосы в сравнении с фотоответом ГП p-GaSe-n-InSe, полученным без рекристаллизации InSe, которое вызвано образованием твердого раствора In_0.8Ga_0.2Se. Из анализа температурных зависимостей вольт-амперных характеристик (ВАХ), полученных ГП, следует, что механизм протекания тока через потенциальный барьер носит туннельно-рекомбинационный характер.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.