Новый подход к созданию наноэлектронных систем в размерно-квантующем потенциальном рельефе встроенных зарядов в изолирующих слоях у поверхности полупроводника
Гольдман Е.И.1, Ждан А.Г.1
1Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино
Поступила в редакцию: 27 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.
Анализируется возможность формирования перестраиваемых наномасштабных электронных систем пониженной размерности путем создания в диэлектрике у его межфазной границы с полупроводником регулярного распределения локальной плотности заряда, индуцирующего в приповерхностной области полупроводника двумерный потенциальный рельеф. Профилирование распределения заряда, например посредством сканирования поверхности диэлектрика острием туннельного микроскопа, позволяет, в принципе, организовать всевозможные размерно-квантованные структуры: квантовые ямы, точки, проволоки, сверхрешетки и т. д. Перспективность реализации этого принципа рассматривается на примере системы кремний-окисел.
- Тезисы докладов III Всероссийской конференции по физике полупроводников. "Полупроводники 97". М.: Изд-во ФИАН, 1997
- Лускинович П.Н., Никитин В.И. // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1991. В. 3. С. 27--31
- Sah S.T. // Sol. St. Electr. 1990. V. 33. N 2. P. 147--167
- Di Maria D.J., Stasiak J.W. // J. Appl. Phys. 1989. V. 65. N 6. P. 2342--2356
- Белый В.И., Васильева Л.Л., Гриценко В.А. и др. // Нитрид кремния в электронике / Под ред. Ржанова А.В. Новосибирск: Наука, 1982. 180 с
- Hillen M.W., Hemmes D.G. // Sol. St. Electr. 1981. V. 24. N 8. P. 773--780
- Hicmott T.W. // J. Appl. Phys. 1975. V. 46. N 6. P. 2583--2598
- Boudry M.R., Stagg J.P. // J. Appl. Phys. 1979. V. 50. N 2. P. 942--950
- Stagg J.P., Boudry M.R. // J. Appl. Phys. 1981. V. 52. N 2. P. 885--899
- Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Сумарока А.М. // Письма в ЖЭТФ. 1993. Т. 57. N 12. С. 783--787
- Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Пономарев А.Н. // ФТП. 1994. Т. 28. N 11. С. 1947--1959
- Barret R.C., Quate C.F. // J. Appl. Phys. 1991. V. 70. N 5. P. 2725--2733
- Gao J., Yu G., Heeger A.J. //Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. N 10. P. 1293--1295
- Вертопрахов В.Н., Кучумов Б.М., Сальман Е.Г. // Строение и свойства структур Si--SiO2--M. Новосибирск: Наука, 1981
- Балкарей Ю.И., Луцкий В.Н., Петров В.А. // Письма в ЖЭТФ. 1991. Т. 54. N 8. С. 449--452
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
