"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Диодные структуры n(p)-InP--n-In2O3--P2O5--Pd как потенциальные сенсоры ближнего ИК излучения, влажности и водорода
Слободчиков С.В.1, Салихов Х.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 августа 1999 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.

На основе n(p)-InP методом электрохимического осаждения Pd созданы диодные структуры с промежуточными слоями n-In2O3 и P2O5. Показано, что при импульсном действии водяного пара фотоэдс структур изменяется на 60-400%, а при действии H2 может изменяться на 1.5--2 порядка. Структуры n(p)-InP--n-In2O3--P2O5--Pd являются потенциальными сенсорами ближнего ИК излучения, влажности и водорода.
  1. Ковалевская Г.Г., Кратепа Л., Мередов М.М., Маринова А.М., Слободчиков С.В. // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. В. 12. С. 55
  2. Ковалевская Г.Г., Маринова А.М., Слободчиков С.В. // ЖТФ. 1989. Т. 59. В. 11. С. 155
  3. Слободчиков С.В., Ковалевская Г.Г., Мередов М.М., Пенцов А.В., Руссу Е.В. // Письма в ЖТФ. 1991. Т. 17. В. 15. С. 1
  4. Geib К.М., Wilmsen C.M. // J. Vac. Sci. Techn. 1980. V. 17. P. 952
  5. Wager J.F., Ellsworth D.L., Goodnick S.M., Wilmsen // J. Vac. Sci. Techn. 1981. V. 19. P. 513
  6. Lauglin D.H., Wilmsen C.M. // Appl. Phys. Lett. 1980. V. 37. N 10. P. 915
  7. Мередов М.М., Ковалевская Г.Г., Руссу Е.В., Слободчиков С.В. // ФТП. 1992. Т. 26. В. 9. С. 1590
  8. Hughes G.J., Humphreys T.P., Montgomery V., Williams R.N. // Vacuum. 1981. V. 31. N 10--12. P. 539
  9. Ковалевская Г.Г., Мередов М.М., Руссу Е.В., Салихов Х.М., Слободчиков С.В. // ЖТФ. 1993. Т. 63. В. 2. С. 185

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.