"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние диффузии дефектов на радиационную стойкость гетерогенного фотопроводника CdS--PbS
Бухаров В.Э.1, Роках А.Г.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 16 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.

Показано, что известный факт значительного увеличения радиационной стойкости CdS при добавлении к нему PbS [1], сопровождаемом образованием гетерогенного фотопроводника CdS--PbS, может быть объяснен геттерированием радиационных дефектов включениями узкозонной фазы. Это геттерирование возникает из-за значительно более выраженной стимуляции диффузии радиационным воздействием в широкозонной компоненте CdS--PbS по сравнению с узкозонной. Предлагается модель, объясняющая радиационную стойкость системы CdS--PbS, и на ее основе определяется профиль стационарных концентраций дефектов.
  • Роках А.Г., Елагина Е.В., Матасова Л.П., Новикова Н.А. Состав для изготовления пленочных фоторезисторов. А.с. СССР N 1110351. Заявл. 17. 03.83
  • Мак В.Т. // ФТП. 1997. Т. 31. С. 292--295
  • Давидюк Г.Е., Богданюк Н.С., Шаварова А.П., Федонюк А.А. // ФТП. 1997. Т. 31. С. 1013--1016
  • Роках А.Г. // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. С. 820--823
  • Степанов В.А. // ЖТФ. 1998. Т. 68. С. 67--72
  • Винецкий В.Л., Чайка Г.Е. // ФТТ. 1982. Т. 24. С. 2170--2176
  • Мак В.Т. // ЖТФ. 1993. Т. 63. С. 173--176
  • Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972. 384 с
  • Холстед Р.Е. // Физика и химия соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=-. Пер. с англ. под ред. С.А. Медведева. М.: Мир, 1970. С. 296--333
  • Климов Б.Н., Цукерман Н.М. Гетеропереходы в полупроводниках. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1976. 180 с
  • Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1969. 188 с
  • Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М.: Мир, 1966. 192 с
  • Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязов О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 384 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.