"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Проявление эффекта дальнодействия в ионно-облученных транзисторных структурах на основе GaAs
Оболенский С.В.1, Скупов В.Д.1, Фефелов А.Г.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 11 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Обнаружено изменение концентрации и подвижности носителей заряда в активных слоях полевых транзисторов с затвором Шоттки при облучении структур с нерабочей стороны GaAs-подложки ионами аргона.
  1. Оболенский С.В., Павлов Г.П. // ФТП. 1995. Т. 29. В. 3. С. 413--420
  2. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. М.: Металлургия, 1985. 160 с
  3. Павлов П.В., Семин Ю.А., Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. // ФТП. 1986. Т. 20. В. 3. С. 503--507
  4. Павлов П.В., Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. // Физ. и хим. обработки материалов. 1987. N 6. С. 19--24
  5. Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И., Шенгуров В.Г. // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. В. 22. С. 44--47
  6. Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. // ФТП. 1987. Т. 21. В. 8. С. 1495--1497
  7. Павлов П.В., Пашков В.И., Скупов В.Д. // Электронная техника. Сер. 7. ТОПО. 1980. В. 6 (103). С. 24--26

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.