Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Проявление эффекта дальнодействия в ионно-облученных транзисторных структурах на основе GaAs
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 11 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.
Обнаружено изменение концентрации и подвижности носителей заряда в активных слоях полевых транзисторов с затвором Шоттки при облучении структур с нерабочей стороны GaAs-подложки ионами аргона.
- Оболенский С.В., Павлов Г.П. // ФТП. 1995. Т. 29. В. 3. С. 413--420
- Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. М.: Металлургия, 1985. 160 с
- Павлов П.В., Семин Ю.А., Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. // ФТП. 1986. Т. 20. В. 3. С. 503--507
- Павлов П.В., Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. // Физ. и хим. обработки материалов. 1987. N 6. С. 19--24
- Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И., Шенгуров В.Г. // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. В. 22. С. 44--47
- Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. // ФТП. 1987. Т. 21. В. 8. С. 1495--1497
- Павлов П.В., Пашков В.И., Скупов В.Д. // Электронная техника. Сер. 7. ТОПО. 1980. В. 6 (103). С. 24--26
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
