Эффект памяти, управляемой электрическим полем, в гетероструктурах для газовых сенсоров
Васильев Р.Б.1, Румянцева М.Н.1, Рябова Л.И.1, Акимов Б.А.1, Гаськов А.М.1, Лабо М.1, Лангле М.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Национальный Политехнический институт, Гренобль, Франция
Поступила в редакцию: 3 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.
Газовый сенсор емкостного типа создан на основе гетероструктуры с двумя последовательными слоями оксидов n-SnO2/SiO2/p-Si. Присутствие в воздухе полярных газовых молекул C2H5OH, NH3 и H2O приводит к существенному увеличению емкости структуры при комнатной температуре. Важной особенностью процесса адсорбции является эффект памяти, который заключается в возможности сохранять значение емкости при удалении из газовой смеси активного компонента. В применении к газовым сенсорам впервые реализована возможность гашения накопленного полезного сигнала импульсами электрического поля.
- Lundstrom I., Shivaraman S., Svensson C., Lundkvist L.A. // Appl. Phys. Lett. 1975. V. 26. P. 55--57
- Lundstrom I., Shivaraman S., Svensson C. // J. Appl. Phys. 1975. V. 46. P. 3876--3881
- Lundstrom I. // Sensors and Actuators. 1981. V. 1. P. 403--426
- Kang W.P., Kim C.K. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. P. 421--423
- Kang W.P., Kim C.K. // Sensors and Actuators B. 1994. V. 22. P. 47--55
- Primeau N., Vautey C., Langlet M. // Thin Solid Films. 1997
- Rumyantseva M.N., Gaskov A.M., Ryabova L.I., Senator J.P., Chenevier B., Labeau M. // Mater. Sci. Eng. B. 1996. V. 41. P. 333--338
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
