Вышедшие номера
Атомно-силовой/туннельный микроскоп и его применение для исследования диэлектрического пробоя алмазной пленки на кремнии
Ермаков А.В.1, Адамчук В.К.1
1Научно-исследовательский институт физики С.-Петербургского государственного университета, Петродворец
Поступила в редакцию: 12 августа 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Реализована простая конструкция атомно-силового микроскопа, где сила взаимодействия острия с поверхностью образца регистрируется непосредственно с помощью пьезокерамики X, Y, Z-манипулятора. Сигнал силы используется в качестве сигнала обратной связи при поддержании постоянным промежутка острие-поверхность, при этом одновременно регистрируется его электропроводность. Приводятся результаты модификации электропроводности тонкой алмазной пленки после электрического пробоя.
  1. Binnig G., Rohrer H., Gerber Ch., Weibel // Phys. Rev. Lett. 1982. V. 49. N 1. P. 57--68
  2. Binnig G., Quate S.F., Gerber Ch. // Phys. Rev. Lett. 1986. V. 56. N 9. P. 930--933
  3. Binnig G., Rohrer H., Gerber Ch., Weibe E. // Phys. Rev. Lett. 1982. V. 50. N 2. P. 120--123
  4. Hahn J.R., Kang H. // Phys. Rev. B. V. 53. N 4. P. R1725--1728
  5. Binnig G., Gerber Ch., Stoll E., Albrecht T.R., Quate C.F. // Europhys. Lett. 1987. V. 3. N 12. P. 1281--1286
  6. Nickolayev O., Petrenko V.F. // J. Vac. Sci. Technol. 1994. B12(4). P. 2443--2450
  7. Sarid Dror, Ellings Vrgil // J. Vac. Sci. Tecnol. 1991. B 9. N 2. P. 431--437

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.