Вышедшие номера
Ограничение фотоиндуцированным объемным зарядом гигантского всплеска усиления при увеличении концентрации центров рекомбинации в пороговых собственных фоторезисторах с вытягивающими контактами
Холоднов В.А.1, Другова А.А.1
1Государственный научный центр Российской Федерации государственного унитарного предприятия НПО "Орион", Москва
Поступила в редакцию: 10 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

В условиях гигантского всплеска коэффициента фотоэлектрического усиления G при увеличении концентрации рекомбинационной примеси N проанализирована зависимость \hat G от V, где V - приложенное напряжение, \hat G - значение G в точке максимума функции G(N). Показано, что вследствие индуцирования оптическим излучением пространственного заряда функция \hat G(V) имеет сильно немонотонный характер. Найдено оптимальное напряжение на образце Vop, при котором \hat G(V) достигает максимального значения \hat Gmax. Рассмотренная немонотонная зависимость \hat G от V не связана с разогревом носителей или решетки, а также с инжекцией заряда из контактов.