Ограничение фотоиндуцированным объемным зарядом гигантского всплеска усиления при увеличении концентрации центров рекомбинации в пороговых собственных фоторезисторах с вытягивающими контактами
Холоднов В.А.1, Другова А.А.1
1Государственный научный центр Российской Федерации государственного унитарного предприятия НПО "Орион", Москва
Поступила в редакцию: 10 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.
В условиях гигантского всплеска коэффициента фотоэлектрического усиления G при увеличении концентрации рекомбинационной примеси N проанализирована зависимость \hat G от V, где V - приложенное напряжение, \hat G - значение G в точке максимума функции G(N). Показано, что вследствие индуцирования оптическим излучением пространственного заряда функция \hat G(V) имеет сильно немонотонный характер. Найдено оптимальное напряжение на образце Vop, при котором \hat G(V) достигает максимального значения \hat Gmax. Рассмотренная немонотонная зависимость \hat G от V не связана с разогревом носителей или решетки, а также с инжекцией заряда из контактов.
- Drugova A.A., Kholodnov V.A. // Proceed. of International Semicond. Device Research Symp. Charlottesville. USA. 1995. V. 1. P. 197--200
- Фотоприемники видимого и ИК диапазона / Под ред. Р. Дж. Киеса. М.: Радио и связь, 1985. 326 с
- Rogalski A. et al. Infrared photon detectors. Bellingham, Washington USA: SPIE Optical Engineering Press, 1995. 644 p
- Beneking H. // IEEE Trans. on Elec. Devic. 1982. V. ED-29. N 9. P. 1420--1430
- Smith D.L., Lo F.K., Genova J.D. // J. Vac. Sci. Tecnol. 1982. V. 21. N 1. P. 259--262
- Elliott C.T. // Handbook on Semiconductors / Ed. by C. Hilsum. Amsterdam: North-Holland, 1982. V. 4. P. 727--798
- Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. 496 с
- Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: Изд-во иностр. лит. 1962. 558 с
- Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977. 562 с
- Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М.: Мир, 1966. 192 с
- Loepfe R., Schaelin A. et al. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. N 25. P. 2130--2132
- Downey P.M., Martin R.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 1985. V. 46. N 4. P. 396--398
- Холоднов В.А., Другова А.А. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. В. 2. С. 80--87
- Холоднов В.А. // Письма в ЖЭТФ. 1998. Т. 67. N 9. С. 655--660
- Другова А.А., Холоднов В.А. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. N 1. С. 23--27
- Drugova А.А., Kholodnov V.A. // Solid-St. Electron. 1995. V. 38. N 6. P. 1247--1252
- Холоднов В.А. // ФТП. 1996. Т. 30. N 6. С. 1011--1025
- Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Кн. 1. 455 с
- Блекмор Дж.С. Статистика электронов в полупроводниках. М.: Мир, 1964. 392 с
- Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высш. школа, 1969. 590 c
- Смит P. Полупроводники. М.: Мир, 1982. 600 с
- Блекмор Дж. Физика твердого тела. М.: Мир, 1988. 608 с
- Холоднов В.А., Серебренников П.С. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. В. 7. С. 39--45
- Холоднов В.А., Серебренников П.С. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. В. 24. С. 58--63
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990. 688 с
- Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Кн. 2. 455 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук