Вышедшие номера
Влияние концентрации электронов в пленке арсенида галлия на граничную частоту усиления волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах
Михайлов А.И.1, Сергеев С.А.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 16 июня 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.

Проведен теоретический расчет граничной частоты усиления волн пространственного заряда в тонкопленочной полупроводниковой структуре на основе n-GaAs с учетом зависимости дрейфовой скорости и дифференциальной подвижности электронов от концентрации электронов. Показано, что на зависимости граничной частоты от концентрации электронов в пленке имеется максимум, свидетельствующий о существовании оптимального уровня легирования пленки для создания наиболее высокочастотных функциональных устройств, работающих на волнах пространственного заряда в n-GaAs.