"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние концентрации электронов в пленке арсенида галлия на граничную частоту усиления волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах
Михайлов А.И.1, Сергеев С.А.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 16 июня 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.

Проведен теоретический расчет граничной частоты усиления волн пространственного заряда в тонкопленочной полупроводниковой структуре на основе n-GaAs с учетом зависимости дрейфовой скорости и дифференциальной подвижности электронов от концентрации электронов. Показано, что на зависимости граничной частоты от концентрации электронов в пленке имеется максимум, свидетельствующий о существовании оптимального уровня легирования пленки для создания наиболее высокочастотных функциональных устройств, работающих на волнах пространственного заряда в n-GaAs.
  1. Барыбин А.А., Вендик И.Б., Вендик О.Г. и др. // Микроэлектроника. 1979. Т. 8. В. 1. С. 3--19
  2. Михайлов А.И. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 21. С. 89--95
  3. Барыбин А.А. Волны в тонкопленочных полупроводниковых структурах с горячими электронами. М.: Наука, 1986. 288 с
  4. Masselink W.T., Kuech T.F. // J. El. Materials. 1989. V. 18. N 5. P. 579--584
  5. Kliefoth K., Petzel B. // Phys. Stat. Solidi. (a). 1977. V. 42. N 2. P. K133--K135
  6. Левинштейн М.Е., Пожела Ю.К., Шур М.С. Эффект Ганна. М.: Сов. радио, 1975. 288 с
  7. Шур М.С. Современные приборы на основе арсенида галлия / Пер. с англ. М.: Мир, 1991. 632 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.