Вышедшие номера
Влияние электронного облучения на рекомбинацию и прилипание в пленочных фотопроводниках на основе A2B6--A4B6
Бухаров В.Э.1, Роках А.Г.1, Стецюра С.В.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.

Исследуется воздействие электронного облучения на широкозонные фоточувствительные пленки соединений типа A2B6 с субмикронными включениями A4B6, образующими с вышеуказанными соединениями ограниченные твердые растворы. Показано увеличение радиационной стойкости соединений типа A2B6 при добавлении A4B6. Обнаружено различное действие радиации на мелкие и глубокие уровни в широкозонном полупроводнике. Предлагается объяснение полученным экспериментальным данным с использованием модели гетерофазного полупроводника.
  1. Фотопроводящие пленки (типа CdS) / Под ред. З.И. Кирьяшкиной, А.Г. Рокаха. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1979. 192 с
  2. Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии. М.: Высш. школа, 1984. 320 с
  3. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. 494 с
  4. Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 368 с
  5. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972. 384 с
  6. Фикс В.Б. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках. М.: Наука, 1969. 295 с
  7. Роках А.Г. // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. В. 13. С. 820--823

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.