Вышедшие номера
Влияние электронного облучения на рекомбинацию и прилипание в пленочных фотопроводниках на основе A2B6--A4B6
Бухаров В.Э.1, Роках А.Г.1, Стецюра С.В.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.

Исследуется воздействие электронного облучения на широкозонные фоточувствительные пленки соединений типа A2B6 с субмикронными включениями A4B6, образующими с вышеуказанными соединениями ограниченные твердые растворы. Показано увеличение радиационной стойкости соединений типа A2B6 при добавлении A4B6. Обнаружено различное действие радиации на мелкие и глубокие уровни в широкозонном полупроводнике. Предлагается объяснение полученным экспериментальным данным с использованием модели гетерофазного полупроводника.