Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние электронного облучения на рекомбинацию и прилипание в пленочных фотопроводниках на основе A2B6--A4B6
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия 
Поступила в редакцию: 28 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.
Исследуется воздействие электронного облучения на широкозонные фоточувствительные пленки соединений типа A2B6 с субмикронными включениями A4B6, образующими с вышеуказанными соединениями ограниченные твердые растворы. Показано увеличение радиационной стойкости соединений типа A2B6 при добавлении A4B6. Обнаружено различное действие радиации на мелкие и глубокие уровни в широкозонном полупроводнике. Предлагается объяснение полученным экспериментальным данным с использованием модели гетерофазного полупроводника.
- Фотопроводящие пленки (типа CdS) / Под ред. З.И. Кирьяшкиной, А.Г. Рокаха. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1979. 192 с
- Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии. М.: Высш. школа, 1984. 320 с
- Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. 494 с
- Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 368 с
- Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972. 384 с
- Фикс В.Б. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках. М.: Наука, 1969. 295 с
- Роках А.Г. // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. В. 13. С. 820--823
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
