"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Гетеропереходы на основе GaTe
Катеринчук В.Н.1, Ковалюк М.З.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 22 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

Исследованы фотоэлектрические свойства гетеропереходов (ГП) In2O3-GaTe и GaTe-InSe. Их характеристики описаны в рамках диффузионной модели ГП. Для ГП In2O3-GaTe обнаружено отклонение характеристик от идеальных, вызванное присутствием на гетерогранице тонкого слоя диэлектрика. Построены качественные энергетические зонные диаграммы ГП. Определена их фоточувствительность, диапазон которой 0.33-1.0 mum.
  1. Dawar A.L., Joshi J.C. // J. Mater. Science. 1984. V. 19. P. 1--23
  2. Бакуменко В.Л., Чишко В.Ф. // ФТП. 1977. Т. 11. В. 10. С. 2000--2002
  3. Малик А.И., Баранюк В.Б., Ковалюк З.Д. // ФТП. 1980. Т. 14. В. 2. С. 409--411.
  4. Довлетов К., Рагимов Ф. // ФТП. 1982. Т. 16. В. 9. С. 1631--1632
  5. Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник. М., 1975. 432 с
  6. Card H.C. // Sol. St. Eletronics. 1977. V. 20. N 12. P. 971--976
  7. Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relation-ships in Science and Technology. New Ser. Group III: Crystal and Solid State Physics. V. 17, sv.f / Ed. by O. Madelung. Berlin e.a.: Springer, 1983. 562 p
  8. Гольдберг Ю.А., Иванова О.В., Львова Т.В., Царенков Б.В. // ФТП. 1984. Т. 18. В. 8. С. 1472--1475

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.