"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Получение кубического GaN молекулярно-пучковой эпитаксией на подложках пористого GaAs
Мамутин В.В.1, Улин В.П.1, Третьяков В.В.1, Иванов С.В.1, Конников С.Г.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

Показана возможность получения слоев GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота высокочастотным ЭЦР разрядом на пористых монокристаллических подложках GaAs с ориентацией (100) и (111). Полученные нелегированные эпитаксиальные слои имели n-тип проводимости с концентрацией носителей ~ 1018. По данным сканирующей электронной микроскопии и катодолюминесценции при толщинах ~ 2000 Angstrem независимо от ориентации подложки получены сплошные слои кубической модификации GaN.
  1. Lin M.E., Xue G., Zhou G.L., Greene J.E., Morkoc H. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. P. 932
  2. Luryi S., Suhir E. // Appl. Phys. Lett. 1986. V. 49. P. 140
  3. Мамутин В.В., Жмерик В.Н., Шубина Т.В., Торопов А.А., Лебедев А.В., Векшин В.А., Иванов С.В., Копьев П.С. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. С. 30
  4. Salvador A., Kim W., Aktas O., Botchkarev A., Fan Z., Morkoc H. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. P. 2692
  5. Dingle R., Shell D.D., Stokowski S.E., Iligems M. // Phys. Rev. B 4. 1971. P. 1211
  6. Metcalfe R.D., Wickenden D., Clark W.C. // J. Lumin. 1978. V. 16. P. 405
  7. Menniger J., Jahr U., Brandt O., Yang H., Ploog K. // Phys. Rev. 1996. V. 53. P. 1881
  8. Antipov V.G., Zubrilov A.S., Merkulov A.V., Nikishin S.A., Sitnikova A.A., Stepanov M.V., Troshkov S.I., Ulin V.P., Faleev N.N. // Semiconductors. 1995. V. 29. P. 946

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.