Исследование некоторых характеристик электронной эмиссии с поверхности сегнетоэлектрика типа PLZT
Рабкин Л.М.1, Петин Г.П.1, Зарубин И.А.1, Иванов В.Н.1
1Ростовский-на-Дону государственный университет
Поступила в редакцию: 19 января 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.
Изложены результаты исследования некоторых характеристик эмиссии электронов с поверхности сегнетоэлектрика типа PLZT (российский аналог ЦТСЛ) под воздействием импульсного напряжения, приложенного к образцу. Показано, что компенсация эмитированного заряда происходит за счет движения электрических зарядов через объем сегнетоэлектрика. Для конкретного сегнетоэлектрического образца сделаны оценки энергий эмитированных электронов, показано влияние давления остаточных газов на величину эмитированного заряда. Результаты получены по новой методике прямого измерения средних значений импульсных токов в цепях электродов твердотельного сегнетоэлектрического образца и в цепи коллектора.
- Розенман Г.И., Охапкин В.А., Чепелев Ю.Л., Шур В.Я. // Письма в ЖЭТФ. 1984. Т. 39. В. 9. С. 397--399
- Gundel H., Riege H., Handerek J., Zioutas K. CERN/PS/88--66(AR). Geneva, 1988
- Gundel H., Handerek J., Riege H. et al. CERN/PS/89--35 (AR). Geneva, 1989
- Ivers I.D., Schachter L., Nation I.A., Kerslick G.S., Advani R. // J. Appl. Phys. 15 March 1993. V. 73. (60)
- Гапонов В.И. Электроника. М.: Физматгиз, 1960. Т. 1. С. 320
- Зырянов Д.В., Елинсон М.И. // Радиотехника и электроника. 1957. Т. 1. N 1
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук