Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование напряженных квантовых ям InxGa1-xAs/InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 25 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.
Проведены исследования возможности получения методом МОС-гидридной эпитаксии пониженного давления сильно напряженных (напряжение сжатия) квантовых ям InxGa1-xAs/In0.53Ga0.47As на подложках фосфида индия (100). Исследованы фотолюминесцентные свойства полученных гетероструктур. Показано, что такие гетероструктуры перспективны для применения в лазерных диодах, излучающих в диапазоне длин волн 1.5/ 2 mum, важном для мониторинга окружающей среды.
- Thijs P.J.A., Tiemeijer L.F., Binsma J.J.M. et al. // IEEE J. of Quantum Electron. 1994. V. 30. N 2. P. 477--499
- Chuang S.L. // Phys. Rev. B. 1991. V. 43. N 12. P. 9649--9661
- Mesrine M., Massies J., Vanelle E. et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. N 24. P. 3552--3554
- Taskinen M., Sopanen M., Lipsanen H. et al. // Surf. Science. 1997. V. 376. N 1. P. 60--68
- Dong J., Ubukata A., Matsumoto K. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. N 9A. P. 5468--5471
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
