"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование напряженных квантовых ям InxGa1-xAs/InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
Бондарев А.Д.1, Винокуров Д.А.1, Капитонов В.А.1, Коваленков О.В.1, Соколова З.Н.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

Проведены исследования возможности получения методом МОС-гидридной эпитаксии пониженного давления сильно напряженных (напряжение сжатия) квантовых ям InxGa1-xAs/In0.53Ga0.47As на подложках фосфида индия (100). Исследованы фотолюминесцентные свойства полученных гетероструктур. Показано, что такие гетероструктуры перспективны для применения в лазерных диодах, излучающих в диапазоне длин волн 1.5/ 2 mum, важном для мониторинга окружающей среды.
  • Thijs P.J.A., Tiemeijer L.F., Binsma J.J.M. et al. // IEEE J. of Quantum Electron. 1994. V. 30. N 2. P. 477--499
  • Chuang S.L. // Phys. Rev. B. 1991. V. 43. N 12. P. 9649--9661
  • Mesrine M., Massies J., Vanelle E. et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. N 24. P. 3552--3554
  • Taskinen M., Sopanen M., Lipsanen H. et al. // Surf. Science. 1997. V. 376. N 1. P. 60--68
  • Dong J., Ubukata A., Matsumoto K. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. N 9A. P. 5468--5471
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.