Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изучение с помощью атомно-силового микроскопа in-situ химического травления структур SiO2--Si
1Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия 
Поступила в редакцию: 7 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.
Представлены первые результаты по визуализации с помощью атомно-силового микроскопа in-situ процесса химического травления в водном растворе HF структур SiO2-Si, имплантированных ионами P+. Получены значения скоростей травления SiO2, исследована кинетика фотостимулированного химического травления Si.
- Drake B., Prater C.B., Weisenhorn A.L. et al. // Science. 1988. V. 243. P. 1586--1589
- Бухараев А.А., Овчинников Д.В., Бухараева А.А. // Заводская лаборатория. 1997. N 5. С. 10--27
- Валиев К.А., Махвиладзе Т.М., Раков А.В. // Микроэлектроника. 1986. Т. 15. N 5. С. 392--397
- Валиев К.А., Данилов В.А., Дракин К.А. и др. // Микроэлектроника. 1982. Т. 11. N 4. С. 323--328
- Риссел Х., Руге И. Ионная имплантация. М.: Наука, 1983. 360 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
