Вышедшие номера
Многоямковые лазерные гетероструктуры, полученные методом жидкостной эпитаксии
Лешко А.Ю.1, Лютецкий А.В.1, Мурашова А.В.1, Пихтин Н.А.1, Тарасов И.С.1, Арсентьев И.Н.1, Бер Б.Я.1, Кудрявцев Ю.А.1, Ильин Ю.В.1, Фетисова Н.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

Разработана технология многоямковых лазерных гетероструктур InGaAsP/InP методом жидкостной эпитаксии. С помощью глубинного профилирования на вторично-ионном масс-спектрометре исследованы профили распределения состава многоямковых лазерных гетероструктур. Методом жидкофазной эпитаксии получены многоямковые лазерные гетероструктуры InGaAsP/InP с активными областями, имеющими длины волн излучения 1.3 и 1.55 mum, и исследованы их излучательные характеристики.