"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Особенности деформирования гетероструктур Ge--GaAs при действии сосредоточенной нагрузки
Марончук И.Е.1, Сороколет C.P.1, Марончук И.И.1
1Херсонский государственный технический университет
Поступила в редакцию: 5 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

Описан новый, ранее не наблюдавшийся эффект. Исследование данного эффекта позволит глубже понять процессы деформирования гетероструктуры и явления, происходящие на гетерогранице.
  1. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. М.: Металлургия, 1985
  2. Марончук И.Е. и др. // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок: Cб. Ч. 2. Новосибирск: Наука, 1975. С. 281

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.