Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Получение GaN молекулярно-пучковой эпитаксией с активацией азота ВЧ-емкостным магнетронным разрядом
Мамутин В.В.1, Жмерик В.Н.1, Шубина Т.В.1, Торопов А.А.1, Лебедев А.В.1, Векшин В.А.1, Иванов С.В.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 29 января 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.
Показана возможность получения слоев GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота высокочастотным магнетронным разрядом в оригинальном коаксиальном источнике с емкостной связью. На подложках GaAs и сапфира получена скорость роста ~0.1 mum/h, и определены пути оптимизации конструкции плазменного источника для увеличения скорости роста. Исследованы электрофизические и люминесцентные свойства нелегированных эпитаксиальных слоев вплоть до комнатной температуры.
- Nikishin S.A., Antipov V.G., Ruvimov S.S., Seryogin G.A., Temkin H. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. N 21. P. 3227--3229
- Ferguson B.A., Mullins C.B. // J. Crystal Growth. 1997. V. 178. P. 134--146
- Grun M., Sadeghi N., Cibert J., Genuist Y., Tserepi A. // J. Crystal Growth. 1996. V. 159. P. 284--288
- Meyapan M. // MRS Internet Journal (MIJ)--NSR. 1997. V. 2. Art. 46
- Hughes W.C., Rowland W.H., Johnson M.A.L., Fujita S., Cook J.W., Schetzina J.F., Ren J., Edmond J.A. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1995. V. 13. N 4. P. 1571--1577
- Ivanov S.V., Jmerik V.N., Kuznetsov V.M., Sorokin S.V., Maximov M.V., Krestnikov I.L. Kop'ev P.S. // Proceeding of International Symposium on Blue Lasers and Light Emitting Diodes. Chiba, Japah, March 5--7. 1996. P. 301--304
- Жмерик В.Н., Иванов С.В., Максимов М.В., Кузнецов В.М., Леденцов Н.Н., Сорокин С.В., Домрачев С.Б., Шмидт Н.М., Крестников И.Л., Копьев П.С. // ФТП. 1996. V. 30. N 6. P. 1071--1084
- Novikov S.V., Kipshidze G.D., Lebedev V.B., Sharonova L.V., Shik A.Ya., Jmerik V.N., Kuznetsov V.M., Gurevich A.V., Zinov'ev N.N., Foxon C.T., Cheng T.S. // Abstracts of 23rd International Symposium on Compound Semiconductors. St.Petersburg, Russia, Sept. 23--27. 1996. P. 101
- Saeki Y., Akitsu T., Kato T., Matsumoto T. // Proceeding of International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes. Chiba, Japan, March 5--7, 1996. P. 390--393
- Strauss U., Tews H., Riechert H. et al. // MIJ-NSR. 1996. V. 1. Art. 44
- Cheng T.S., Foxon C.T., Jeffs N.J., Hughes O.H. et al. // MIJ-NSR. 1996. V. 1. Art. 32
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
