"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Фотопропускание на связанных экситонах в GaP(N) и GaAs1-xPx(N)
Ивкин А.Н.1, Пихтин А.Н.1
1С.-Петербургский государственный электротехнический университет
Поступила в редакцию: 23 сентября 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

На экситонах, связанных на атомах азота в эпитаксиальных слоях GaP(N) и GaAs1-xPx(N), наблюдались дифференциальные спектры фотопропускания, вызванные эффектом Штарка в приповерхностном поле полупроводника.
  1. Glembocki O.J., Shanabrook B.V., Bottka N. // Appl. Phys. Lett. 1985. V. 46. N 10. P. 970--972
  2. Пихтин А.Н., Тодоров М.Т. // ФТП. Т. 28. В. 6. С. 1068--1075
  3. Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology / Ed. O. Madelung. Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New-York, 1982. V. 17a. 348 p
  4. Глинский Г.Ф., Пихтин А.Н. // ФТП. 1975. Т. 9. В. 11. С. 2139--2145

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.