Вышедшие номера
О механизмах усиления фототока в изотипных гетероструктурах n+-GaSb-n0-GaInAsSb-n+-GaAlAsSb
Слободчиков С.В.1, Салихов Х.М.1, Яковлев Ю.П.1, Саморуков Б.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

На основе измерений вольт-амперных характеристик, фототока и зависимости его от напряжения смещения (прямого и обратного) и магнитного поля на изотипных гетероструктурах n+-GaSb-n0-GaInAsSb-n+-GaAlAsSb определены механизмы токопереноса. Обнаружены два механизма усиления фототока. В структурах с двойной инжекцией в диффузионном приближении усиление определяется изменением времени жизни с уровнем инжекции темновых носителей тока. В структурах с дрейфовым переносом усиление связано с "пролетным" эффектом. В обоих случаях велика роль уровней захвата.