"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
О механизмах усиления фототока в изотипных гетероструктурах n+-GaSb-n0-GaInAsSb-n+-GaAlAsSb
Слободчиков С.В.1, Салихов Х.М.1, Яковлев Ю.П.1, Саморуков Б.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

На основе измерений вольт-амперных характеристик, фототока и зависимости его от напряжения смещения (прямого и обратного) и магнитного поля на изотипных гетероструктурах n+-GaSb-n0-GaInAsSb-n+--GaAlAsSb определены механизмы токопереноса. Обнаружены два механизма усиления фототока. В структурах с двойной инжекцией в диффузионном приближении усиление определяется изменением времени жизни с уровнем инжекции темновых носителей тока. В структурах с дрейфовым переносом усиление связано с "пролетным" эффектом. В обоих случаях велика роль уровней захвата.
  • Popov A.A., Sherstnev V.V., Yakovlev Yu.P., Baranov A.N., Alibert C. // Electron. Lett. 1997. V. 33. N 1. P. 86
  • Yakovlev Yu.P., Baranov A.N., Imenkov A.N., Popov A.A., Sherstnev V.V. // J. de Physique IV. 1994. V. 4. C. 4--671
  • Андреев И.А., Афраилов М.А., Баранов А.Н., Данильченко В.Г., Мирсагатов М.А., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. В. 21. С. 1311--1315
  • Андреев И.А., Баранов А.Н., Мирсагатов М.А., Михайлова М.П., Рогачев А.А., Филаретова Г.М., Яковлев Ю.П. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. В. 5. С. 389
  • Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. Гл. 1. С. 37
  • Адирович Э.И., Карагеоргий--Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. М.: Сов. радио, 1978, п. 3.3. С. 73, 122
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.