Вышедшие номера
Высокотемпературный диод на основе эпитаксиальных слоев GaP
Соболев М.М.1, Никитин В.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Сообщается о получении чистого, нелегированного, высокотемпературного GaP, выращенного методом жидкофазной эпитаксии. Приведены результаты исследований p-n-структур GaP, выращенных при различных температурах начала кристаллизации, с помощью вольт-фарадного метода (C-V) и нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS). Полученные характеристики GaP определяются низким уровнем концентрации фоновой примеси и дефектов с глубокими уровнями. Измерения температурной зависимости прямой ветви вольт-амперной характеристики показали, что термометрическая характеристика диода линейна в диапазоне температур от -191 до ~ +600oC.