Электрическая динамическая усталость в сегнетоэлектрических сложных оксидах
Гавриляченко В.Г.1, Решетняк Н.В.1, Резниченко Л.А.1, Гавриляченко С.В.1, Семенчев А.Ф.1, Дудкина С.И.1
1Ростовский государственный университет Научно-исследовательский институт физики
Поступила в редакцию: 23 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.
Приводятся данные об усталости сегнетоэлектрических материалов, вызванной циклической переполяризацией переменным полем. Предполагается, что электрическая усталость образцов обусловлена ростом концентрации дефектов кристаллической структуры.
- Jang Q.Y., Subbarao T.C., Gross L.E. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. N 11. P. 7433--7443
- Pan W., Sun S., Fuierer P. // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. N 2. P. 1256--1264
- Бородин В.Э., Экнадиосянц Е.И., Пинская А.П. Полупроводники-сегнетоэлектрики. В. 6. Ростов-на-Дону: МП "Книга", 1996. С. 125--126
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
