Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 1998, выпуск 6 » Статья стр. 58
<<<>>>
Свойства твердых растворов GaInAsSb в области спинодального распада, полученных из сурьмянистых растворов-расплавов методом жидкофазной эпитаксии
Васильев В.И.1, Дерягин А.Г.1, Кучинский В.И.1, Смирнов В.М.1, Соколовский Г.С.1, Третьяков Д.Н.1, Фалеев Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.
PDF версия
Сообщается о получении методом жидкофазной эпитаксии из жидких фаз, обогащенных Sb, эпитаксиальных слоев твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y на изопериодическом с GaSb сечении внутри области спинодального распада. Наибольшее значение состава (x=0.4) достигнуто при выращивании на подложке GaSb(111)B. Приводятся результаты исследований люминесцентных и структурных свойств полученных твердых растворов.
  1. Stringfellow G.B. // J. Cryst. Growth. 1982. V. 58. P. 194--202
  2. Баранов А.Н., Гусейнов А.А., Литвак А.М., Попов А.А., Чарыков Н.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. // Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. В. 5. С. 33--39
  3. Dewinter J.C., Pollack M.A., Srivastava A.K., Zysking J.L. // J. Electron. Mater. 1985. V. 14. N 6. P. 729--747
  4. Tournie E., Lazzari J.-L., Pitard F., Alibert C., Joullie A., Lambert B. // J. Appl. Phys. 1990. V. 68(11). P. 5936--5938
  5. Васильев В.И., Кузнецов В.В., Мишурный В.А. // Тез. докл. IV Всесоюзн. конф. по термодинамике и материаловедению полупроводников. М., 1989. Ч. 1. С. 162
  6. Васильев В.И., Кузнецов В.В., Мишурный В.А. // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. материалы. 1990. Т. 26. N 1. С. 23--27
  7. Vasil'ev V.I., Kuznetsov V.V., Mishurnyi V.A., Sazonov V.V., Faleev N.N. // 1st Intern. Conf. on Epitax. Growth. Budapest, 1990. P. 659--663

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme