Рассмотрен перенос заряда в нейтральной базе p⁺-n структуры (за счет диффузии его к границе p-n-перехода) в условиях генерации неравновесных носителей одиночными alpha-частицами. Полагается, что по площади структуры существует неоднородность времени жизни носителей (tau), описываемая распределением Гаусса. Для указанных условий рассчитана форма спектра значений переносимого заряда и найдена ее связь с мерой неоднородности tau. Поскольку треки alpha-частиц при диффузионном растекании охватывают весьма малый объем, регистрация их эквивалентна локальному зондированию материала в отношении tau. Предлагается использовать полученную расчетную функцию как калибровочную для определения разброса значений tau в материалах. Методика опробована на Si для структуры с поверхностным барьером при регистрации alpha-частиц с энергией 8.78 MeV.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.