Улучшение характеристик тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе пленок ZnS : Mn после облучения их маломощным лазером
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.
Показано, что кратковременное облучение тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе пленок ZnS : Mn импульсами УФ-квантов с энергией импульсов, намного меньшей пороговых энергий лазерного отжига пленок ZnS : Mn, приводит к увеличению яркости и эффективности электролюминесценции, крутизны вольт-яркостной характеристики, улучшению стабильности работы, запасу электрической прочности структур. Установлено, что улучшение свойств структур обусловлено фотостимуляцией допороговых процессов отжига дефектов и диффузии примеси, приводящих к перераспределению ионов Mn в пленке ZnS и уменьшению концентрации мелких состояний, влияющих на характеристики структур.
- Ono Y.F. Electroluminescent Displays. Singapore: World Scientific, 1995. P. 187
- United States Patent 4, 442, 136 10/1984 Jonson
- Велигура Л.И., Кононец Я.Ф., Остроухова О.А. // Тез. Междунар. конф. по люминесценции. М.: ФИАН, 1994. С. 232
- Nichols J.E., Devis J.J., Covenott B.C. // J. Phys. C. Solid. State Phys. 1979. V. 12. P. 370
- Емельянов В.И. // Изв. Рос. АН. Сер. физ. 1992. Т. 56. N 4. С. 147
- Прудников Р.В., Кашкаров П.К., Кашкаров В.Ю. // Вестн. Моск. ун-та. 3. Физика и астрономия. 1995. Т. 36. С. 61
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук