"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
О возможности улучшения структурного совершенства новых гетеропар GaAs--(Ge2)1-x(ZnSe)x, Ge--(Ge2)1-x(ZnSe)x, GaP--(Ge2)1-x(ZnSe)x, Si--(Ge2)1-x(ZnSe)x
Саидов А.С.1, Кошчанов Э.А.1, Раззаков А.Ш.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 30 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

На основе морфологических исследований, а также изучения растровых картин и дифракционных спектров гетероструктур GaAs--(Ge2)1-x(ZnSe)x, Ge--(Ge2)1-x(ZnSe)x, GaP--(Ge2)1-x(ZnSe)x, Si--(Ge2)1-x(ZnSe)x показано, что кристаллическое совершенство указанных структур зависит от подбора условий жидкофазной эпитаксии. Показано, что зеркально-гладкие эпитаксиальные слои (Ge2)1-x(ZnSe)x с наименьшими напряженностями можно получить на подложках GaAs (100) и Ge (111).
  1. Саидов А.С., Сапаров Д.В., Кошчанов Э.А., Раззаков А.Ш., Рысаева В.А. // Тез. докл. Междунар. науч.-техн. конф. "Новые неорганические материалы". Ташкент, 18--20 сентябрь 1996 г. С. 98
  2. Саидов А.С., Кошчанов Э.А., Сапаев Б., Ковардакова Г.Н. // ДАН Уз ССР. 1988. N 2. С. 26--27
  3. Алферов Ж.И., Жингарев М.З., Конников К.Г. и др. // ФТП. 1982. Т. 16. N 5. С. 831--839
  4. Саидов А.С., Кошчанов Э.А., Раззаков А.Ш., Сапаров Д.В., Рысаева В.А. // Узб. физ. жур. 1997. N 1. С. 16--17
  5. Абдикамалов Б.А., Аташов Б., Дуйсенбаев М.Д., Ерназаров У.К. // Тез. док. II Междунар. конф. "Многослойные, варизонные, периодические полупроводниковые структуры и приборы на их основе". Нукус, 28--30 сентября 1993 г. С. 17--18

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.