"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
О влиянии ширины спейсерных слоев на размеры области бистабильности в вольт-амперных характеристиках двухбарьерных туннельных резонансных диодов
Врубель М.М.1, Борздов В.М.1, Комаров Ф.Ф.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Поступила в редакцию: 3 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.

Обуждается вопрос о влиянии размеров спейсерных слоев на положение и ширину области бистабильности в вольт-амперных характеристиках туннельных резонансных диодов. Вольт-амперные характеристики рассчитывались в рамках самосогласованного приближения эффективной массы. Омечается, что увеличение размеров спейсерных слоев приводит к смещению вверх нижней границы области бистабильности, к сужению этой области и затем к полному ее исчезновению.
  1. Goldman V.J., Tsui D.C., Cunningham J.E. // Phys. Rev. Lett. 1987. V. 58. N 12. P. 1256--1259
  2. Wei T., Stapleton S., O. Berolo // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. N 8. P. 4071--4075
  3. Zaslavsky A., Goldman V.J., Tsui D.S. et al. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. N 15. P. 1408--1410
  4. Игнатьев А.С., Каминский В.Э., Копылов В.Б. и др. // ФТП. 1992. Т. 26. N 10. С. 1795--1800
  5. Shead F.W., Toombs G.A. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. N 15. P. 1228--1230
  6. Sofo J.O., Balseiro C.A. // Phys. Rev. B. 1990. V. 42. N 11. P. 7292--7295
  7. Jensen K.L., Buot F.A. // Phys. Rev. Lett. 1991. V. 66. N 8. P. 1078--1081
  8. Salvino R.J., Buot F.A. // J. Appl. Phys. 1992. V. 72. N 12. P. 5975--5981

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.