Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О влиянии ширины спейсерных слоев на размеры области бистабильности в вольт-амперных характеристиках двухбарьерных туннельных резонансных диодов
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь 
Поступила в редакцию: 3 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.
Обуждается вопрос о влиянии размеров спейсерных слоев на положение и ширину области бистабильности в вольт-амперных характеристиках туннельных резонансных диодов. Вольт-амперные характеристики рассчитывались в рамках самосогласованного приближения эффективной массы. Омечается, что увеличение размеров спейсерных слоев приводит к смещению вверх нижней границы области бистабильности, к сужению этой области и затем к полному ее исчезновению.
- Goldman V.J., Tsui D.C., Cunningham J.E. // Phys. Rev. Lett. 1987. V. 58. N 12. P. 1256--1259
- Wei T., Stapleton S., O. Berolo // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. N 8. P. 4071--4075
- Zaslavsky A., Goldman V.J., Tsui D.S. et al. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. N 15. P. 1408--1410
- Игнатьев А.С., Каминский В.Э., Копылов В.Б. и др. // ФТП. 1992. Т. 26. N 10. С. 1795--1800
- Shead F.W., Toombs G.A. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. N 15. P. 1228--1230
- Sofo J.O., Balseiro C.A. // Phys. Rev. B. 1990. V. 42. N 11. P. 7292--7295
- Jensen K.L., Buot F.A. // Phys. Rev. Lett. 1991. V. 66. N 8. P. 1078--1081
- Salvino R.J., Buot F.A. // J. Appl. Phys. 1992. V. 72. N 12. P. 5975--5981
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
