Фотоэлектрический преобразователь нового типа на основе гетероструктуры n-CdO/a-C/p-Si
Баранов А.М.1, Малов Ю.А.1, Терешин С.А.1
1Государственный научно-исследовательский институт вакуумной техники им. С.А. Векшинского, Москва
Поступила в редакцию: 17 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.
Предлагается новая схема фотоэлектрического преобразователя и на примере гетероструктуры n-CdO/a-C/p-Si исследуются ее фотоэлектрические свойства. Отличительной особенностью структуры является то, что широкозонный диэлектрический слой SiO2 на поверхности кремния заменен на узкозонный слой аморфного углерода, а в качестве верхнего электрода использован слой CdO. Показано, что в подобной гетероструктуре можно ожидать увеличение тока короткого замыкания вследствие ударной ионизации. Результаты работы позволяют сделать вывод о целесообразности практического использования пленок CdO в качестве прозрачных электродов.
- Gtauvogl M., Aberle A.G. et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. P. 1462--1464
- Zhao J., Wang A. et al. // Appl. Phys. Let. 1996. V. 66. N 26. P. 3636--3638
- Solar Cells and Their Industrial Application // Advances in aterials Technology: Monitor, UNIDO. 1993. Issue N 31. P. 2--36
- Зи C. Физика полупроводниковых приборов
- Baranov A., Tereshin S., Mikhailov I. et al. // Proc. SPIE. 1996. V. 2863. P. 359--367
- Baranov A., Tereshin S., Mikhailov I. et al. Proc. SPIE. 1995. V. 2519. P. 108--115
- Chu T.L., Shirley S. // Journal of Electr. Mater. 1990. V. 19. N 9
- Scavani C., Reddy K.T.R. // Semicond. Sci. and Technol. 1991. N 6. P. 1036--1040
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук