Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.
Приведены результаты импульсных и вольт-амперных характеристик n+-p-переходов на основе Hg1-xCdxTe в магнитном поле. Показано, что в магнитном поле происходит увеличение времени жизни неравновесных электронов в p-области, которое может быть связано с неоднородным распределением дефектов от границы перехода. На вольт-амперных характеристиках в магнитном поле наблюдается подавление диффузионной компоненты тока и увеличение вклада генерационно-рекомбинационной, а также появление шунтирующих каналов, связанных с влиянием поверхности.
- Shen S.C. // Semicond. Sci. and Technol. 1993. V. 8. N 1S. P. 443--446
- Белотелов С.В., Иванов-Омский В.И., Ижнин А.И., Смирнов В.А. // ФТП. 1991. Т. 25. N 6. С. 1058--1064
- Shaake H.F. // J. Vac. Sci. Technol. 1984. A4. N 4. P.2174--2176
- Андрухив М.Г., Белотелов С.В., Вирт И.С. // ФТП. 1993. Т. 27. N 11/12. С. 1863--1865
- Носов Ю.Р. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме. М.: Наука, 1968. 264 с
- Любченко А.В., Сальков Е.А., Сизов Ф.Ф. Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники. Киев: Наук. думка, 1984. 254 с
- Schacham S.E., Finkman E. // J.Vac. Sci. Technol. 1989. A 7. N 2. P. 387--390
- Баженов Н.Л., Гасанов С.И., Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е., Мынбаев К.Д. // ФТП. 1991. Т. 25. N 12. С. 2196--2200
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
