"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Глубокие поверхностные состояния на интерфейсе SiC с собственным термическим окислом
Иванов П.А.1, Игнатьев К.И.1, Пантелеев В.Н.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

На интерфейсе 6H-SiC с собственным термическим окислом обнаружены глубокие поверхностные состояния путем анализа C-V характеристик структур металл-окисел-полупроводник, измеренных при высокой температуре (600 K). Максимум плотности распределенных по энергиям состояний (Dtm=2·1012 cm-2· eV-1) приходится на энергию около 1.2 eV ниже дна зоны проводимости SiC. Выдвигается предположение о том, что выявленные состояния аналогичны по своей природе Pb-центрам, наблюдаемым в системе SiO2/Si.
  1. Ivanov P.A., Konstantinov A.O, Panteleev V.N., Samsonova T.P., Chelnokov V.E. // Semiconductors. 1994. V. 28. N 7. P. 668--672
  2. Brown D.M., Ghezzo M., Kretchmer J., Downey E., Pimbley E., Palmour J. // IEEE Trans. Electr. Devices. 1994. V.ED-41. N 4. P. 618--620
  3. Sridevan S., Mistra V., McLarty P.K., Baliga B.J., Wortmann J.J. // Silicon Carbide and Related Materials 1995 / Ed. by S. Nakashima, H. Matsunami, S. Yishida, and H. Harima. 1996. Inst. of Phys. Conf Ser. N 142; Inst. of Phys. Publishing.Bristol and Philadelphia. P. 645--648
  4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Т. 1. 455 с
  5. Ivanov P.A., Panteleev V.N., Samsonova T.P., Chelnokov V.E. // Semiconductors. 1995. V. 29. N 2. P. 135--137
  6. Geardi G.J., Poindexter E.H., Caplan P.J. // Appl Phys. Lett. 1986. V. 49. N 6. P. 348--350

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.