"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Отражение света доменными стенками в одноосном сегнетоэлектрике Sn2P2S6
Грабар А.А.
Поступила в редакцию: 12 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Описано возникновение рассеяния света при наблюдении пропускания света при некоторых ориентациях падающего лазерного пучка в полидоменных кристаллах одноосного сегнетоэлектрика тиогиподифосфата олова. Это рассеяние, вероятно, связано с наличием отражающего слоя в окрестности 180o доменных границ. Отражающий слой может возникать при появлении заряженных непараллельных доменных стенок.
  1. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981
  2. Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики-полупроводники. М.: Наука, 1976
  3. Фесенко Е.Г., Гавриляченко В.Г., Семенчев А.Ф. Доменная структура многоосных сегнетоэлектрических кристаллов. Ростов-на Дону: Изд-во Ростовского ун-та, 1990
  4. Carpentier C.D., Nitsche R. // Mat. Res. Bull. 1974. V. 9. N 8. P. 1097--1100
  5. Грабар А.А., Высочанский Ю.М., Перечинский С.И., Сало Л.А., Гурзан М.И., Сливка В.Ю. // ФТТ 1984. Т. 26. В. 11. С. 3469--3472
  6. Высочанский Ю.М., Сливка В.Ю. Сегнетоэлектрики семейства Sn-=SUB=-2-=/SUB=-P-=SUB=-2-=/SUB=-S-=SUB=-6-=/SUB=-. Свойства в окрестности точки Лифшица. Львов: Ориана-Нова, 1994
  7. Тербан В.П., Семак А.Д., Грабар А.А. // Материалы оптоэлектроники. Киев: Техника, 1992. С. 103--107
  8. Высочанский Ю.М., Майор М.М., Перечинский С.И., Тихомирова Н.А. // Кристаллография. 1992. Т. 37. В. 1. С. 171--176
  9. Otko A.I., Stasyuk I.V. // Ferroelectrics. 1995. V. 172. P. 207--215
  10. Грабар А.А., Берча А.И., Стойка И.М. Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 24. С. 72--76

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.