Работа посвящена локальной спектроскопии и модификации полупроводниковых гетероструктур InGaP/GaAs/InGaAs с квантовыми ямами методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии. Исследовано пространственное распределение интенсивноcти фотолюминесценции в таких структурах, обнаружена пространственная неоднородность фотолюминесценции, связанная с неоднородностью свойств слоев InGaP. Впервые показана возможность локального гашения фотолюминесценции с помощью стимулируемой оптическим излучением диффузии примеси в область квантовой ямы, что может быть использовано при создании низкоразмерных полупроводниковых объектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.