"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование фотолюминесценции и модификации гетероструктур InGaP/GaAs/InGaAs методами сканирующей ближнепольной микроскопии
Гапонов С.В.1, Дряхлушин В.Ф.1, Миронов В.Л.1, Ревин Д.Г.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 14 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Работа посвящена локальной спектроскопии и модификации полупроводниковых гетероструктур InGaP/GaAs/InGaAs с квантовыми ямами методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии. Исследовано пространственное распределение интенсивноcти фотолюминесценции в таких структурах, обнаружена пространственная неоднородность фотолюминесценции, связанная с неоднородностью свойств слоев InGaP. Впервые показана возможность локального гашения фотолюминесценции с помощью стимулируемой оптическим излучением диффузии примеси в область квантовой ямы, что может быть использовано при создании низкоразмерных полупроводниковых объектов.
  • Grober R.D., Harris T.D., Trautman J.K. et al. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. P. 1421
  • Казанцев Д.В., Гиппиус Н.А., Ошиново Дж. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1996. Т. 63. С. 523
  • Gregor M.J., Blome P.G., Ulbrich R.G. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. P. 3572
  • Smolyaninov I.I., Mazzoni D.L., Davis C.C. // Appl. Phуs. Lett. 1995. V. 67. P. 3859
  • Betzig E., Trautman J.K., Wolfe R. et al. // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61. P. 142
  • Волгунов Д.Г., Гапонов С.В., Дряхлушин В.Ф. и др. // ПТЭ (в печати)
  • Bour D.P., Paoli T.L., Tornton R.L. et al. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. P. 3458
  • Алешкин В.Я., Ахлестина С.А., Звонкова Б.Н. и др. // ФТП. 1995. Т. 29. С. 590
  • Gomio A., Kobayashi K., Kawata S. et al. // J. Cryst. Growth. 1986. V. 77. P. 367
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.