Особенности стимулированного излучения при оптической накачке в двойной гетероструктуре GaN/AlGaN
Максимов М.В.1, Сахаров А.В.1, Лундин В.В.1, Усиков А.С.1, Пушный Б.В.1, Крестников И.Л.1, Леденцов Н.Н.1, Копьев П.С.1, Алферов Ж.И.1, Розум В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Минский НИИ радиоматериалов, Минск
Поступила в редакцию: 15 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.
Исследованы люминесцентные свойства двойной гетероструктуры GaN/Al0.1Ga0.9N, выращенной газофазной эпитаксией из металлорганических соединений. При наблюдении люминесценции с торца обнаружен резко выраженный пороговый характер зависимости интенсивности излучения от плотности накачки. Пороговая плотность возбуждения при T=77 K составила ~40 kW/cm2, длина волны стимулированного излучения lambda=357 nm. Длинноволновый сдвиг линии излучения при высоких плотностях накачки может быть объяснен перенормировкой ширины запрещенной зоны, обусловленной многочастичными взаимодействиями в электронно-дырочной плазме.
- Nakamura S. // Proc. International Simposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes Chiba Univ. Japan, March 5--7 1996
- Akasaki I. // Jap. J. Appl. Phys. 1995. V. 34. 11B. L1517
- Amano H., Watanabe N., Koide N., Akasaki I. // Jap. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. 7B. L1000
- Aggarwal R.L., Maki P.A., Molnar R.J., Liau Z.L., Melngails I. // J. Appl. Phys. 1996. V. 79(4). P. 2148
- Ponce F.A., Bour D.P., Gotz W., Wright P.J. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68. P. 57
- Yang X.H., Schmidt T.J., Shan W., Song J.J., Goldenberg B. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66(1). P. 1
- Casey H.C., Stern Jr. and F. // J. of Appl. Phys. 1976. V. 47. P. 631
- Wolff P.A. // Phys. Rev. 1962. V. 126. P. 405
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук