Вышедшие номера
Особенности стимулированного излучения при оптической накачке в двойной гетероструктуре GaN/AlGaN
Максимов М.В.1, Сахаров А.В.1, Лундин В.В.1, Усиков А.С.1, Пушный Б.В.1, Крестников И.Л.1, Леденцов Н.Н.1, Копьев П.С.1, Алферов Ж.И.1, Розум В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Минский НИИ радиоматериалов, Минск
Поступила в редакцию: 15 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Исследованы люминесцентные свойства двойной гетероструктуры GaN/Al0.1Ga0.9N, выращенной газофазной эпитаксией из металлорганических соединений. При наблюдении люминесценции с торца обнаружен резко выраженный пороговый характер зависимости интенсивности излучения от плотности накачки. Пороговая плотность возбуждения при T=77 K составила ~40 kW/cm2, длина волны стимулированного излучения lambda=357 nm. Длинноволновый сдвиг линии излучения при высоких плотностях накачки может быть объяснен перенормировкой ширины запрещенной зоны, обусловленной многочастичными взаимодействиями в электронно-дырочной плазме.