"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Фотоплеохроизм диодных структур оксид--p--InSe
Катеринчук В.Н.1, Ковалюк М.З.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 26 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

В качестве основы при изготовлении поляриметрического фотоприемника использован слоистый кристалл InSe. Гетероструктура создана в плоскости, перпендикулярной к плоскости спайности слоев методом термического окисления кристаллической подложки. Коэффициент фотоплеохроизма фотодиода оксид-p-InSe определен для длины волны света 0.6328 нм и равен 90%.
  1. Рудь Ю.В. // Изв. вузов. Физика. 1986. Т. 29. С. 68
  2. Manasson V.A., Kovalyuk Z.D., Drapak S.I., Katerinchuk V.N. // Electron. Lett. 1990. V. 26. P. 664
  3. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник / А.В. Новоселова, В.Б. Лазарев, З.С. Медведева и др. М.: Наука, 1979. 340 с
  4. Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. С. 70

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.