Перенос носителей заряда в базе диода с локальной неоднородностью рекомбинационных свойств
Иванов А.М.1, Строкан Н.Б.1, Шуман В.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.
В базе p+-n-диода создана неоднородность рекомбинационных свойств в виде слоя радиационных дефектов. Прослежено и объяснено рекомбинацией в слое изменение эффективного времени жизни дырок, измеряемого методом инъекции-экстракции.
- Носов Ю.Н. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме. М.: Наука, 1968. С. 263
- Вавилов В.С., Горин Б.М., Данилин Н.С., Кив А.Е., Нуров Ю.Л., Шаховцов В.И. Радиационные методы в твердотельной электронике. М.: Радио и связь, 1990. С. 263
- Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. С. 248
- Ion Implantation Science and Technology / Ed. by J.F. Ziegler (Acad. Press, 1984)
- Берман Л.С., Иванов А.М., Строкан Н.Б. // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 20. С. 24--28
- Берман Л.С., Маляренко А.М., Ременюк А.Д., Суханов В.Л., Толстобров М.Г. // ФТП. 1988. Т. 22. В. 5. С. 844--848
- Иванов А.М., Ильяшенко И.Н., Строкан Н.Б., Шмидт Б. // ФТП. 1995. Т. 29. В. 3. С. 543--552
- Byczkowski M., Madigan J.R. // J. Appl. Phys. 1957. V. 28. P. 878
- Вербицкая Е.М., Еремин В.К., Иванов А.М., Строкан Н.Б. // ФТП. 1993. Т. 27. В. 2. С. 205--213
- Schmidt B., Eremin V., Ivanov A., Strokan N., Verbitskaya E., and Li Z. // J. Appl. Phys. 1994. V. 76. P. 4072--4076
- Кузнецов Н.В., Филатов В.Н., Виноградова В.Г. // ФТП. 1987. Т. 21. В. 3. С. 609--614
- Вавилов В.С., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности М.: Наука, 1990. С. 212
- Makovsky L.L., Strokan N.B., Tisnek N.I. // IEEE Trans. Nucl. Ser. 1968. V. 15. N. 3. P. 304--309
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.