Вышедшие номера
Перенос носителей заряда в базе диода с локальной неоднородностью рекомбинационных свойств
Иванов А.М.1, Строкан Н.Б.1, Шуман В.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

В базе p+-n-диода создана неоднородность рекомбинационных свойств в виде слоя радиационных дефектов. Прослежено и объяснено рекомбинацией в слое изменение эффективного времени жизни дырок, измеряемого методом инъекции-экстракции.