Влияние растекания заряда вдоль поверхности полупроводника на характер коэффициента умножения в структуре кремний--широкозонный слой
Садыгов З.Я.1, Жежер Т.В.1
1Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
Поступила в редакцию: 11 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.
В работе показано, что процесс растекания подвижных неосновных носителей заряда вдоль границы раздела полупроводник-широкозонный слой существенно влияет на однородность коэффициента умножения лавинного фотоприемника, причем вокруг неоднородностей полупроводниковой подложки формируется значительная по площади "мертвая зона", где коэффициент умножения на несколько порядков меньше, чем на остальной площади прибора. Предложены конкретные способы улучшения однородности лавинного процесса в структуре типа полупроводник-широкозонный слой.
- Goetzberger A., Nicollian E.H. // Appl. Phys. Lett. 1966. V. 9. N 12. P. 444--446
- Кравченко А.Б. и др. // Квантовая электроника. 1981. Т. 8. N 4. C. 785--792
- Вуль А.Я. и др. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. В. 19. С. 1729--1732
- Гасанов А.Г. и др. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. В. 8. С. 706--709
- Sadygov Z.Y. et al. // Appl. Surface Science. 1995. V. 92. P. 575--578
- Поспелов В.В. и др. // Микроэлектроника. 1974. Т. 3. В. 6. С. 475--481
- Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973. 655 с
- Sadygov Z.Y. et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1996. V. 43. N 3. P. 1009--1013
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук