Вышедшие номера
Влияние растекания заряда вдоль поверхности полупроводника на характер коэффициента умножения в структуре кремний--широкозонный слой
Садыгов З.Я.1, Жежер Т.В.1
1Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
Поступила в редакцию: 11 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

В работе показано, что процесс растекания подвижных неосновных носителей заряда вдоль границы раздела полупроводник-широкозонный слой существенно влияет на однородность коэффициента умножения лавинного фотоприемника, причем вокруг неоднородностей полупроводниковой подложки формируется значительная по площади "мертвая зона", где коэффициент умножения на несколько порядков меньше, чем на остальной площади прибора. Предложены конкретные способы улучшения однородности лавинного процесса в структуре типа полупроводник-широкозонный слой.