Получение многослойных гетероструктур на основе арсенида-антимонида-висмутида индия методом "капиллярной" жидкофазной эпитаксии
Акчурин Р.Х.1, Жегалин В.А.1, Сахарова Т.В.1, Серегин С.В.1
1Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова, Москва Институт химических проблем микроэлектроники, Москва
Поступила в редакцию: 10 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.
В работе методом низкотемпературной "капиллярной" жидкофазной эпитаксии на подложках InSb(111)A выращены многослойные эпитаксиальные гетероструктуры InAs1-x-ySbxBiy/InSb1-yBiy. Гетероструктуры содержали до 60 эпитаксиальных слоев толщиной от 0.05 до 0.15 мкм, регулируемой условиями эпитаксиального роста. Приведены результаты исследования гетероструктур методами сканирующей электронной микроскопии и масс-спектрометрии вторичных ионов.
- Акчурин Р.Х., Сахарова Т.В. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 10. С. 16--20
- Акчурин Р.Х., Жегалин В.А., Сахарова Т.В. // Неорган. материалы. 1995. Т. 31. N 11. С. 1431--1436
- Osbourn G.C. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1984. V. 2. N 2. P. 176--178
- Kurtz S.R., Biefeld R.M., Dawson L.R. et al. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. N 20. P. 1961--1963
- Kurtz S.R., Dawson L.R., Zipperian Th.E. et al. // IEEE Electron Dev. Lett. 1990. V. 11. N 1. P. 54--56
- Fang Z.M., Ma K.Y., Cohen R.M., Stringfellow G.B. // J. Appl. Phys. 1990. V. 67. N 8. P. 1187--1190
- Акчурин Р.Х., Акимов О.В. // ФТП. 1995. Т. 229. В. 2. С. 362--369
- Акчурин Р.Х., Комаров Д.В. ЖТФ. 1997 (в печати)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук