Новые возможности растровой электронной микроскопии для исследования лазеров на основе InAsSb/InAsSbP
Соловьев В.А.1, Михайлова М.П.1, Степанов М.В.1, Шерстнев В.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.
В работе продемонстрированы новые возможности использования методов растровой электронной микроскопии для идентификации гетерограниц, контроля резкости интерфейсов, а также определения положения p-n перехода в лазерных структурах на основе InAsSb/InAsSbP, в том числе при низких температурах. Предложенная методика позволила оптимизировать параметры длинноволновых лазеров и достигнуть рекордно низких пороговых токов (Ith=<25 мА при T=77 K) при длинах волн генерации lambda=3-3.5 мкм.
- Baranov A.N., Imenkov A.N., Sherstnev V.V., Yakovlev Yu.P. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. N 19. P. 2482--2490
- Choi H.K., Eaglash S.Y., Turner G.W. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. P. 812--814
- Zhang Y.H. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 118--120
- Данилова Т.Н., Ершoв О.Г., Именков А.Н., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1996. Т. 30. В. 7. С. 667--670
- Popov A., Sherstnev V., Yakovlev Yu., Muecke R., Werle P. // Spectrochimica Acta. Part A. 1996. V. 52. P. 863--870
- Nadezhdinski A.I., Prokhorov A.M. // SPIE. 1992. V. 1724. P. 2--62
- Дж. Гоулдстейн, Ньюбери Д., Эчлин П., Джой Д., Фиори Ч., Лифшин Э. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. Кн. 1. М.: Мир. 1984. 303 с
- Соловьев В.А., Соловьев С.А., Уманский В.Е. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1990. Т. 54. N 2. С. 232--236
- Бакалейников Л.А., Конников С.Г., Соловьев В.А., Уманский В.Е. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1987. Т. 51. N 3. С. 458--461
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.