Влияние степени очистки исходных материалов на запись динамических голограмм в кристаллах Bi12TiO20
Афанасьев Ю.Б.1, Мокрушина Е.В.1, Нечитайлов А.А.1, Прокофьев В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Университет в Йоенсуу, Box 111, S Йоенсуу, Финляндия
Поступила в редакцию: 27 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.
В работе методом голографической записи во внешнем переменном электрическом поле измеряются параметры кристаллов ВТО, выращенных с использованием окиси висмута различной степени очистки. Проведено сравнение с кристаллом, специально легированным хромом. Определялись такие параметры кристаллов, как диффузионная длина фотовозбужденных носителей заряда и дебаевская длина экранирования. Показано, что слабое допирование хромом, как и недостаточная очистка шихты, существенно влияют как на спектр поглощения материала, так и на эффективность голографической записи.
- Stepanov S.I., Petrov M.P. In Photorefactive Materials \& Their Applications 1 / Eds. P. Gunter and J.P. Huignard. Springer-Verlag, London, 1987. Chapter 9
- Sochava S.L., Mokrushina E.V., Prokof'ev V.V., Stepanov S.I. // J. Opt. Soc. Am. 1993. B 10. P. 1600--1604
- Mokrushina E.V., Nechitailov A.A., Prokofiev V.V. // Opt. Comm. 1996. V. 123. P. 592--596
- Nechitailov A.A., Prokof'ev V.V., Krasin'kova M.V. // Sov. J. Anal. Chem. 1985. V. 940. P. 1593--1596
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
