"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Антиструктурные дефекты TeCd в кристаллах CdTe
Матвеев О.А.1, Терентьев А.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

Методом двухтемпературного отжига под управляемым давлением паров теллура (PTe2) изучались кристаллы CdTe<Cl> в условиях высокотемпературного (735-940 oC) термодинамического равновесия кристалла с газовой фазой. При малых PTe2 (<= Pmin) происходит самокомпенсация ClTe+ вследствие образования VCd-2 в кристалле. При увеличении PTe2 наблюдалось нарушение этого механизма точной самокомпенсации вследствие образования антиструктурного собственного точечного дефекта TeCd+.
  1. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М., 1969. С. 654
  2. Bell R.O., Wald F.V., Canaly C., Nava F., Ottavian G. // IEEE Trans. N.S. 1974. V. NS-21. P. 331
  3. Матвеев О.А., Терентьев А.И. // ФТП. 1993. Т. 27. В. 11/12. С. 1894--1903
  4. Mandel G. // Phys. Rev. 1964. V. A134. P. 1073
  5. Van Vechten J.A. // J. Electrochem. Soc. 1975. V. 122. N 3. P. 423
  6. Мартынов В.Н., Кобелева С.П. Кристаллография. 1983. Т. 28. С. 394
  7. Berding M.A., Van Schiltfgaarde M., Paxton A.T., Sher A. // J. Vac. Sci. Techn. A. 1990. V. 8. P. 1103
  8. Глазов В.М., Павлова Л.П. Неорганические материалы. 1994. Т. 30. С. 629
  9. Morgan-Pond C.G., Raghavon R. // Phys. Rev. B. 1985. V. 31. P. 6616
  10. Schick J.T., Morgan-Pond C.G. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1990. V. 8. P. 1108

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.