Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Антиструктурные дефекты TeCd в кристаллах CdTe
Матвеев О.А.1, Терентьев А.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 27 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 января 1997 г.
Методом двухтемпературного отжига под управляемым давлением паров теллура (PTe2) изучались кристаллы CdTe<Cl> в условиях высокотемпературного (735-940 oC) термодинамического равновесия кристалла с газовой фазой. При малых PTe2 (<= Pmin) происходит самокомпенсация ClTe+ вследствие образования VCd-2 в кристалле. При увеличении PTe2 наблюдалось нарушение этого механизма точной самокомпенсации вследствие образования антиструктурного собственного точечного дефекта TeCd+.
- Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М., 1969. С. 654
- Bell R.O., Wald F.V., Canaly C., Nava F., Ottavian G. // IEEE Trans. N.S. 1974. V. NS-21. P. 331
- Матвеев О.А., Терентьев А.И. // ФТП. 1993. Т. 27. В. 11/12. С. 1894--1903
- Mandel G. // Phys. Rev. 1964. V. A134. P. 1073
- Van Vechten J.A. // J. Electrochem. Soc. 1975. V. 122. N 3. P. 423
- Мартынов В.Н., Кобелева С.П. Кристаллография. 1983. Т. 28. С. 394
- Berding M.A., Van Schiltfgaarde M., Paxton A.T., Sher A. // J. Vac. Sci. Techn. A. 1990. V. 8. P. 1103
- Глазов В.М., Павлова Л.П. Неорганические материалы. 1994. Т. 30. С. 629
- Morgan-Pond C.G., Raghavon R. // Phys. Rev. B. 1985. V. 31. P. 6616
- Schick J.T., Morgan-Pond C.G. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1990. V. 8. P. 1108
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
