Вышедшие номера
Исследование деградации внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии
Шмидт Н.М.1,2,3,4, Усиков А.С.1,2,3,4, Шабунина Е.И.1,2,3,4, Черняков А.Е.1,2,3,4, Сахаров А.В.1,2,3,4, Курин С.Ю.1,2,3,4, Антипов А.А.1,2,3,4, Бараш И.С.1,2,3,4, Роенков А.Д.1,2,3,4, Макаров Ю.Н.1,2,3,4, Helava Н.1,2,3,4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Nitride Crystals Inc., NY, Deer Park, USA
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Группа компаний "Нитридные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
Email: Natalia.Shmidt@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 20 февраля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.

Приведены результаты сравнительных исследований финальной стадии деградации внешней квантовой эффективности AlGaN/GaN ультрафиолетовых светодиодов, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии, и мощных синих светодиодов InGaN/GaN, полученных методом эпитаксии из металлорганических соединений. Показано, что одним из процессов, приводящих к снижению значений квантовой эффективности обоих типов светодиодов, является локальное дефектообразование с участием механизма Года-Вайсберга в системе протяженных дефектов. Для повышения срока службы ультрафиолетовых светодиодов AlGaN/GaN более 2000 h необходимо улучшить характер организации наноматериала светоизлучающих структур и выяснить вклад разупорядоченности состава AlGaN в деградацию внешней квантовой эффективности.