Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2014, выпуск 13 » Статья стр. 73
<<<>>>
Исследование деградации внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии
Шмидт Н.М.1,2,3,4, Усиков А.С.1,2,3,4, Шабунина Е.И.1,2,3,4, Черняков А.Е.1,2,3,4, Сахаров А.В.1,2,3,4, Курин С.Ю.1,2,3,4, Антипов А.А.1,2,3,4, Бараш И.С.1,2,3,4, Роенков А.Д.1,2,3,4, Макаров Ю.Н.1,2,3,4, Helava Н.1,2,3,4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Nitride Crystals Inc., NY, Deer Park, USA
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Группа компаний "Нитридные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
Email: Natalia.Shmidt@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 20 февраля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2014 г.
PDF версия
Приведены результаты сравнительных исследований финальной стадии деградации внешней квантовой эффективности AlGaN/GaN ультрафиолетовых светодиодов, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии, и мощных синих светодиодов InGaN/GaN, полученных методом эпитаксии из металлорганических соединений. Показано, что одним из процессов, приводящих к снижению значений квантовой эффективности обоих типов светодиодов, является локальное дефектообразование с участием механизма Года-Вайсберга в системе протяженных дефектов. Для повышения срока службы ультрафиолетовых светодиодов AlGaN/GaN более 2000 h необходимо улучшить характер организации наноматериала светоизлучающих структур и выяснить вклад разупорядоченности состава AlGaN в деградацию внешней квантовой эффективности.
  1. http: // www.nichia.co.jp/
  2. http://www.cree.com
  3. Соломонов А.В., Тарасов С.А., Менькович Е.А., Ламкин И.А., Курин С.Ю., Антипов А.А., Бараш И.С., Роенков А.Д., Хелава Ч., Макаров Ю.Н. // ФТП. 2014. Т. 28. С. 259
  4. Kamanin A.V., Kolmakov A.G., Kopev P.S., Onushkin G.A., Sakharov A.V., Shmidt N.M., Sizov D.S., Sitnikova A.A., Zakgeim A.L., R.V. Zolotareva R.V., Usikov A.S. // Phys. Stat. Sol. (c). 2006. V. 3. P. 2129--2132
  5. Shabunina E.I., Averkiev N.S., Chernyakov A.E., Levinshtein M.E., Petrov P.V., Shmidt N.M. // Phys. Stat. Sol. C. Curr. Top. Solid State Phys. 2013. V. 10. N 3. P. 335--337
  6. Pinos A., Varcinkevicis S., Shur M.S. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. P. 103 108
  7. Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. Под ред. А.Э. Юновича. М.: Физматлит, 2008. 496 с
  8. Yassievich I.N. // Semiconductor Sci. Technology. 1994. V. 9. P. 1433--1453
  9. Gold R.D., Weisberg L.R/ // Solid-State Electronics. 1964. V. 7. P. 811
  10. Leung K.K., Fong W.K., Chan P.K.L., Surya C. // J. Appl. Phys. 2010. V. 107. P. 073103
  11. Усиков А.С., Третьяков В.В., Бобыль А.В., Кютт Р.Н., Лундин В.В., Пушный Б.В., Шмидт Н.М. // ФТП. 2000. Т. 34. С. 1312

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme