Вышедшие номера
Доминирующие рекомбинационные центры в слоях n-GaAs, полученных осаждением из газовой фазы
Ботнарюк В.М., Жиляев Ю.В., Кечек А.Г., Кузнецов Н.И., Лебедев А.А., Шульга М.И.
Выставление онлайн: 20 декабря 1987 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.