"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Селективный рост невжигаемых омических контактов к двумерному электронному газу в транзисторах с высокой подвижностью электронов на основе гетеропереходов GaN/AlGaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Майборода И.О.1,2, Андреев А.А.1,2, Перминов П.А.1,2, Федоров Ю.В.1,2, Занавескин М.Л.1,2
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Email: mrlbr@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

Исследованы особенности создания невжигаемых омических контактов к двумерному проводящему каналу транзисторов с высокой подвижностью электронов (НЕМТ) на основе гетероструктур AlGaN/(AlN)/GaN путем осаждения сильнолегированного n+GaN через маску SiO2 методом аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ). Разработанная технология позволяет получать удельные сопротивления контактов к двумерному газу до 0.11 Omega·mm на различных типах нитридных гетероструктур "Ga-face", что в несколько раз меньше сопротивления традиционных вжигаемых омических контактов.
  1. Guo J., Cao Y., Lian C., Zimmermann T., Li G., Verma J., Gao X., Guo S., Saunier P., Wistey M., Jena D., Xing H. (Grace) // Phys. Status Solidi. A. 2011. V. 208. N 7. P. 1617-1619
  2. Denninghoff D.J., Dasgupta S., Lu J., Keller S., Mishra U.K. // IEEE Electron Device Letters. 2012. V. 33. N 6. P. 785-787
  3. Nidhi, Dasgupta S., Lu J., Speck S., James S., Mishra U.K. // IEEE Electron Device Letters. 2012. V. 33. N 6. P. 794-796
  4. Zheng Z., Seo H., Liang Pang L., Kim K. // Phys. Status Solidi. A. 2011. V. 208. N 4. P. 951-954
  5. Pang L., Krein P., Kim K., Lee J.-H., Kim K. // Phys. Status Solidi. A. 2014. V. 211. N 1. P. 180-183
  6. Recht F., McCarthi L., Ragan S., Chakraborty A., Poblenz C., Corrion A., Speck J.S., Mishra U.K. // IEEE Electron Device Letters. 2006. V. 24. N 4. P. 205-207
  7. Kim S.J., Jeong T., Kim. T.G. // IEEE Electron Device Letters. 2012. V. 34. N 3. P. 372-374

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.