Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Селективный рост невжигаемых омических контактов к двумерному электронному газу в транзисторах с высокой подвижностью электронов на основе гетеропереходов GaN/AlGaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия 
2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Email: mrlbr@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.
Исследованы особенности создания невжигаемых омических контактов к двумерному проводящему каналу транзисторов с высокой подвижностью электронов (НЕМТ) на основе гетероструктур AlGaN/(AlN)/GaN путем осаждения сильнолегированного n+GaN через маску SiO2 методом аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ). Разработанная технология позволяет получать удельные сопротивления контактов к двумерному газу до 0.11 Omega·mm на различных типах нитридных гетероструктур "Ga-face", что в несколько раз меньше сопротивления традиционных вжигаемых омических контактов.
- Guo J., Cao Y., Lian C., Zimmermann T., Li G., Verma J., Gao X., Guo S., Saunier P., Wistey M., Jena D., Xing H. (Grace) // Phys. Status Solidi. A. 2011. V. 208. N 7. P. 1617-1619
- Denninghoff D.J., Dasgupta S., Lu J., Keller S., Mishra U.K. // IEEE Electron Device Letters. 2012. V. 33. N 6. P. 785-787
- Nidhi, Dasgupta S., Lu J., Speck S., James S., Mishra U.K. // IEEE Electron Device Letters. 2012. V. 33. N 6. P. 794-796
- Zheng Z., Seo H., Liang Pang L., Kim K. // Phys. Status Solidi. A. 2011. V. 208. N 4. P. 951-954
- Pang L., Krein P., Kim K., Lee J.-H., Kim K. // Phys. Status Solidi. A. 2014. V. 211. N 1. P. 180-183
- Recht F., McCarthi L., Ragan S., Chakraborty A., Poblenz C., Corrion A., Speck J.S., Mishra U.K. // IEEE Electron Device Letters. 2006. V. 24. N 4. P. 205-207
- Kim S.J., Jeong T., Kim. T.G. // IEEE Electron Device Letters. 2012. V. 34. N 3. P. 372-374
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
