Начальная стадия роста самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов GaN
Корякин А.А.1, Сибирев Н.В.1, Дубровский В.Г.1
1Санкт-Петербургский академический университет Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Email: alexkorya@gmail.com
Поступила в редакцию: 5 февраля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.
Проведено теоретическое исследование начальной стадии роста самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов (ННК) GaN на подложке AlN(0001)/Si(111). Расчеты произведены в рамках модели формирования квантовых точек по механизму Странского-Крастанова. Вычислена поверхностная плотность островков GaN, формирование которых предшествует образованию ННК. Рассчитана плотность ННК GaN как функция потока галлия и времени осаждения при росте методом молекулярно-пучковой эпитаксии.
- Pearton S.J., Ren F. // Adv. Mater. 2000. V. 12. P. 1571
- Nakamura S., Fasol G. // The Blue Laser Diode: GaN Based Light Emitters and Lasers. New York: Springer-Verlag, 1997. P. 368
- Дубровский В.Г. Теория формирования эпитаксиальных наноструктур. М.: Физматлит, 2009. 352 с
- Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 12. С. 1585
- Zhong Z., Qian F., Wang D. et al. // Nano Letters. 2003. V. 3. P. 343--346
- Choi H.J., Johnson J.C., He R. et al. // J. Phys. Chem. B. 2003. V. 107. P. 8721--8725
- Landre O., Bougerol C., Renevier H. et al. // Nanotechnology. 2009. V. 20. P. 415 602
- Songmuang R., Landre O., Daudin B. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. P. 251 902
- Consonni V., Knelangen M., Geelhaar L. et al. // Phys. Rev. B. 2010. V. 81. P. 085 310
- Osipov A.V, Schmitt F., Kukushkin S.A. et al. // Appl. Surf. Sci. 2002. V. 188. P. 156
- Dubrovskii V.G., Cirlin G.E., Ustinov V.M. // Phys. Rev. B. 2003. V. 68. P. 075 409
- Ertekin E., Greaney P.A., Chrzan D.C. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. P. 114 325
- Zhang X., Dubrovskii V.G., Sibirev N.V. et al. // Cryst. Growth Des. 2011. V. 11. P. 5441--5448
- Gill S., Cocks A. // Proc. R. Soc. A. 2006. V. 462. P. 3523--3553
- Dubrovskii V.G., Consonni V., Geelhaar L. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. P. 153 101
- Dubrovskii V.G., Consonni V., Trampert A. et al. // Phys. Rev. B. 2012. V. 85. P. 165 317
- Dubrovskii V.G. // J. Chem. Phys. V. 131. P. 164 514
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
