Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2014, выпуск 9 » Статья стр. 17
<<<>>>
Синтез GaN нитевидных нано- и микрокристаллов, индуцированный нанослоем титана
Рожавская М.М.1, Лундин В.В.1, Лундина Е.Ю.1, Сахаров А.В.1, Трошков С.И.1, Смирнов А.Н.1, Давыдов В.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Mrozhavskaya@gmail.com
Поступила в редакцию: 8 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.
PDF версия
Продемонстрированы возможности нового способа выращивания нитрид-галлиевых нитевидных нано- и микрокристаллов с использованием сплошных пленок титана толщиной 10-30 nm в процессе роста. Показано, что такой способ может обеспечить рост GaN нитевидных нанокристаллов высокого качества с рекордно высокой скоростью порядка 10 mum/min.
  1. Lin H.-W., Lu Y.-J., Chen H.-Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 97. P. 073 101
  2. Rozhavskaya M.M., Lundin W.V., Zavarin E.E. et al. // Phys. Stat. Solidi. C. 2013. V. 10. P. 441
  3. Hersee S.D., Sun X., Wang X. // Nanoletters. 2006. V. 6. P. 1808
  4. Sanchez-Garcia M.A., Calleja E., Monroy E. et al. // J. Cryst. Growth. 1998. V. 183. P. 23
  5. Kishino K., Sekiguchi S., Kikuchi A. // J. Cryst. Growth. 2009. V. 311. P. 2063
  6. Fu Y., Yun F., Moon Y.T., Ozgur U. et al. // J. Appl. Phys. 2006. V. 99. P. 033 518
  7. Oshima Y., Eri T., Shibata M., Sunakawa H., Kobayashi K. // Jpn. J. Appl. Phys. 2003. V. 42. P. L1
  8. Wagner R.S., Ellis W.C. // Appl. Phys. Lett. 1964. V. 4. P. 89
  9. Bertness K.A., Roshko A., Mansfield L.M. et al. // J. Cryst. Growth. 2007. V. 300. P. 94
  10. Sekiguchi H., Nakazato T., Kikuchi A., Kishino K. et al. // J. Cryst. Growth. 2007. V. 300. P. 259
  11. Landre'O., Bougerol C., Renevier H., Daudin B. // Nanotechnology. 2009. V. 20. P. 415 602
  12. Consonni V., Knelangen M., Geelhaar L., Trampert A., Riechert H. // Phys. Rev. B. 2010. V. 81. P. 085 310
  13. Dubrovskii V.G., Consonni V., Geelhaar L., Trampert A., Riechert H. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. P. 153 101
  14. Davydov V.Yu., Averkiev N.S., Goncharuk I.N. et al. // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. P. 5097
  15. Emtsev V.V., Davydov V.Yu., Kozlovskii V.V. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2000. V. 15. P. 73

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme