Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Свойства гетероструктур InGaN/GaN, сформированных с помощью прерываний роста в различных условиях
Лундин В.В.1, Николаев А.Е.1, Сахаров А.В.1, Яговкина М.А.1, Цацульников А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: lundin.vpegroup@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 октября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.
Изучена конвертация приповерхностных областей InGaN в GaN во время прерываний роста. Установлено, что процесс насыщается во времени, развивается на глубину менее 2 nm и протекает сходным образом при наличии и отсутствии водорода в реакторе, однако водород его существенно ускоряет. У структур InGaN/GaN, выращенных с прерываниями роста, обнаружено возникновение дополнительной линии фотолюминесценции с большей длиной волны, чем у аналогичного сплошного слоя InGaN. Показано, что прерывание роста в безводородной атмосфере предпочтительнее для формирования светоизлучающих гетероструктур зеленого диапазона.
- Van Daele B., Van Tendeloo G., Jacobs K., Moerman I., Leys M.R. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. P. 4379
- Cho H.K., Lee J.Y., Sharma N., Humphreys C.J., Yang G.M. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. P. 2594
- Lundin W.V., Sakharov A.V., Tsatsulnikov A.F., Ustinov V.M. // Semicond. Sci. Technol. 2011. V. 26(1). P. 014 039
- Lundin W.V., Nikolaev A.E., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Valkovskiy G.A., Yagovkina M.A., Usov S.O., Kryzhanovskaya N.V., Sizov V.S., Brunkov P.N., Zakgeim A.L., Cherniakov A.E., Cherkashin N.A., Hytch M.J., Yakovlev E.V., Bazarevskiy D.S., Rozhavskaya M.M., Tsatsulnikov A.F. // J. Cryst. Growth. 2011. V. 315. P. 267
- Zhu T., El-Ella H.A.R., Reid B., Holmes M.J., Taylor R.A., Kappers M.J., Oliver R.A. // J. Cryst. Growth. 2012. V. 338. P. 262
- Крыжановская Н.В., Лундин В.В., Николаев А.Е., Цацульников А.Ф., Сахаров А.В., Павлов М.М., Черкашин Н.А., Яговкина М.А., Усов С.О. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 6. С. 857
- Yakovlev E.V., Talalaev R.A., Kondratyev A.V., Segal A.S., Lobanova A.V., Lundin W.V., Zavarin E.E., Sinitsyn M.A., Tsatsulnikov A.F., Nikolaev A.E. // J. Cryst. Growth. 2008. V. 310. P. 4862
- Sakharov A.V., Lundin W.V., Krestnikov I.L., Zavarin E.E., Usikov A.S., Tsatsul'nikov A.F., Ledentson N.N., Hoffmann A., Bimberg D., Alferov Zh.I. // Proc. of 8th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology St. Petersburg, Russia, June 19--23 2000. P. 216--218
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
