Вышедшие номера
Субнаносекундное лавинное переключение высоковольтных кремниевых диодов с резкими и плавными p-n-переходами
Брылевский В.И.1, Смирнова И.А.1, Родин П.Б.1, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: rodin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

Задержанный лавинный пробой высоковольтных кремниевых диодов впервые исследован с помощью экспериментальной установки со специально сконструированным резистивным ответвителем, являющимся частью высококачественного согласованного измерительного тракта. Исследованы три типа структур с одинаковыми геометрическими параметрами и близкими напряжениями стационарного пробоя 1.1-1.3 kV: p+-n-n+-структуры с резким p-n-переходом и два различных типа p+-p-n-n+-cтруктур с плавным переходом. При переключении всех структур в нагрузке формировался перепад напряжения амплитудой более киловольта и скоростью нарастания ~100 ps при напряжении пробоя около 2 kV. Однако переключение в состояние с низким (~150 V) остаточным напряжением обнаружено только для структур с резким переходом; для структур с плавным переходом напряжение уменьшалось только до величины ~1 kV, близкой к напряжению стационарного пробоя.