Вышедшие номера
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiN/p-Hg3In2Te6
Солован М.Н.1, Майструк Э.В.1, Брус В.В.1, Марьянчук П.Д.1
1Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Украина
Email: m.solovan@chnu.edu.ua
Поступила в редакцию: 3 октября 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

Впервые получены фоточувствительные анизотипные гетероструктуры n-TiN/p-Hg3In2Te6 путем напыления тонкой пленки нитрида титана (n-типа проводимости) методом реактивного магнетронного распыления на монокристаллические пластины Hg3In2Te6 p-типа проводимости. Установлено, что гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода Voc=0.52 V, ток короткого замыкания Isc=0.265 mA/cm2 и коэффициент заполнения FF=0.39 при освещении 80 mW/cm2.