Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiN/p-Hg3In2Te6
Солован М.Н.1, Майструк Э.В.1, Брус В.В.1, Марьянчук П.Д.1
1Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Украина
Email: m.solovan@chnu.edu.ua
Поступила в редакцию: 3 октября 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.
Впервые получены фоточувствительные анизотипные гетероструктуры n-TiN/p-Hg3In2Te6 путем напыления тонкой пленки нитрида титана (n-типа проводимости) методом реактивного магнетронного распыления на монокристаллические пластины Hg3In2Te6 p-типа проводимости. Установлено, что гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода Voc=0.52 V, ток короткого замыкания Isc=0.265 mA/cm2 и коэффициент заполнения FF=0.39 при освещении 80 mW/cm2.
- Лебедев А.А., Иванов А.М., Строкан Н.Б. // ФТП. 2004. Т. 38. С. 129
- Алфёров Ж.И. // ФТП. 1998. Т. 32. С. 3
- Грушка О.Г., Маслюк В.Т., Чупыра С.М., Мыслюк О.М., Биличук С.В., Заболоцкий И.И. // ФТП. 2012. Т. 46. С. 327
- Бакуменко В.Л., Бонаков А.К., Грушка Г.Г. // Электрон. техн. Материалы. 1983. Т. 2. С. 75
- Грушка О.Г., Горлей П.Н. // Перспективные материалы. 2003. N 6. С. 33
- Солован М.Н., Брус В.В., Марьянчук П.Д., Ковалюк Т.Т., Rappich J., Gluba M. // ФТТ. 2013. Т. 55. С. 2123
- Ковалюк Т.Т., Майструк Э.В., Марьянчук П.Д. // Неорганические материалы. 2013. Т. 49. С. 468
- Косяченко Л.А., Паранчич Ю.С., Макогоненко В.Н., Склярчук В.М., Склярчук Е.Ф., Герман И.И. // ЖТФ. Т. 73. С. 126
- Косяченко Л.А., Раренко И.М., Склярчук О.Ф., Герман И.И., Sun Weiguo // ФТП. 2006. Т. 40. С. 568
- Brus V.V. // Solar Energy. 2012. V. 86. P. 786
- Brus V.V. // Solar Energy. 2012. V. 86. P. 1600
- Солован М.Н., Брус В.В., Марьянчук П.Д. // ФТП. 2013. Т. 47. С. 1185
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.