"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Образование дворика кристаллизации в эвтектических системах и рост кристаллов
Гурин В.Н.1, Осипов В.Н.1, Деркаченко Л.И.1, Корчунов Б.Н.1, Попова Т.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vladimir.gurin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

Исследован так называемый дворик кристаллизации, образующийся в процессах массовой кристаллизации вокруг кристаллов Ge, Si и их твердых растворов (Ge + Si) при охлаждении заэвтектических составов в эктектических системах Ge-Al, Si-Al и (Ge + Si)-Al. Впервые приводятся данные о составе и микротвердости такого дворика и показана его роль как стопора процесса распространения трещин в системе Al-(Ge,Si) при быстром охлаждении после выключения нагревательной системы. Впервые высказано предположение об образовании дворика кристаллизации во всех заэвтектических системах (к таким системам относятся все системы, в которых количество взятого растворителя не соответствует эвтектической точке).
  1. Кузнецов В.Д. Кристаллы и кристаллизация. М.: ГИТТЛ, 1954. С. 87, 100, 319
  2. Никаноров С.П., Кардашёв Б.К., Корчунов Б.Н. и др. // ЖТФ. 2010. Т. 80. В. 4. С. 71--76
  3. Gurin V.N., Korsukova M.M. // Prog. Cryst. Charact. 1983. V. 6. P. 59--101
  4. Аносов В.Я., Озерова М.И., Фиалков Ю.Я. Основы физико-химического анализа. М.: Наука, 1976. С. 97
  5. Никаноров С.П., Гурин В.Н., Волков М.П. и др. // ЖТФ. 2005. Т. 75. В. 3. С. 56--62

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.