Вышедшие номера
Образование дворика кристаллизации в эвтектических системах и рост кристаллов
Гурин В.Н.1, Осипов В.Н.1, Деркаченко Л.И.1, Корчунов Б.Н.1, Попова Т.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vladimir.gurin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

Исследован так называемый дворик кристаллизации, образующийся в процессах массовой кристаллизации вокруг кристаллов Ge, Si и их твердых растворов (Ge + Si) при охлаждении заэвтектических составов в эктектических системах Ge-Al, Si-Al и (Ge + Si)-Al. Впервые приводятся данные о составе и микротвердости такого дворика и показана его роль как стопора процесса распространения трещин в системе Al-(Ge,Si) при быстром охлаждении после выключения нагревательной системы. Впервые высказано предположение об образовании дворика кристаллизации во всех заэвтектических системах (к таким системам относятся все системы, в которых количество взятого растворителя не соответствует эвтектической точке).